DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13是一款由Diodes Incorporated设计制造的P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术。该器件采用紧凑的8引脚SOP表面贴装封装，专为高密度PCB布局而优化，其核心设计旨在实现极低的导通损耗与高效的开关性能。其沟道结构经过精心调校，能够在提供大电流处理能力的同时，维持较低的栅极电荷和输入电容，这对于提升整体系统的能效和开关频率响应至关重要。

该器件的一个突出特性是其极低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅源电压（Vgs）和13A漏极电流（Id）的条件下，其最大值仅为7.5毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，使得在负载开关、电源路径管理和电机控制等应用中，能够显著减少热量产生并提升效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.1V，而推荐的驱动电压范围为4.5V至10V，这使其能够与常见的3.3V或5V逻辑电平控制器良好兼容，简化了驱动电路设计。

在电气参数方面，DMG4413LSS-13具备30V的漏源击穿电压（Vdss），可承受的连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下高达10.5A。其栅极电荷（Qg）在5V Vgs下最大值为46nC，结合最大4965pF的输入电容（Ciss），共同决定了其快速的开关转换特性，有助于降低开关损耗。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的抗干扰能力。其结温（Tj）工作范围宽达-55°C至150°C，并具有1.7W（Ta）的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购是确保产品正宗与供应链安全的重要途径。

基于其优异的性能组合，该MOSFET非常适合应用于对空间和效率有严格要求的现代电子系统中。典型应用场景包括但不限于：笔记本电脑、平板电脑和便携式设备中的电池保护与负载开关；分布式电源架构中的DC-DC转换器同步整流或高端开关；以及低压电机驱动、伺服控制和LED照明驱动电路。其P沟道特性尤其适用于需要以简单电路实现高端驱动的场合，能够有效简化系统设计并提升整体可靠性。

• 型号:DMG4413LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4965 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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