DMG4468LFG

作为Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款高性能功率开关器件，DMG4468LFG采用了先进的N沟道MOSFET技术，其核心架构基于优化的沟槽工艺设计。该设计在紧凑的U-DFN3030-8封装内实现了优异的电气性能平衡，通过降低栅极电荷和导通电阻，显著提升了开关效率和功率密度，为空间受限的现代电子设备提供了可靠的功率管理解决方案。

该器件在功能上表现出色，其漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）在25°C下可达7.62A，能够胜任中低电压、中等电流的开关应用。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压和11.6A电流条件下，最大值仅为15毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为18.85nC，配合2V（最大值）的低栅极阈值电压（Vgs(th)），意味着它所需的驱动能量小，开关速度快，有助于简化驱动电路设计并进一步提升系统整体效率。

在接口与关键参数方面，DMG4468LFG支持宽范围的栅极驱动电压，其最大Rds(On)在4.5V和10V下分别达到，为不同逻辑电平的控制器提供了灵活性。其输入电容（Ciss）在10V下最大值为867pF，结合低Qg特性，使其在高频开关应用中仍能保持良好的响应。器件采用表面贴装型封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功率耗散为990mW，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。对于需要正品保障和稳定供货的客户，通过官方DIODES授权代理进行采购是推荐途径。

基于其性能组合，该MOSFET非常适合应用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括直流-直流转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动控制电路、电池保护模块以及各类便携式设备、消费电子和工业控制系统的电源管理部分。其优异的开关特性与热性能，使其成为设计师在追求高效率和紧凑布局时的优选器件。

• 型号:DMG4468LFG
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN3030-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.62A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 11.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:867 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:990mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN3030-8
• 封装/外壳:8-PowerUDFN
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