DMG4468LK3-13

DMG4468LK3-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件采用TO-252-3（DPAK）表面贴装封装，其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。这种设计在硅片层面有效降低了寄生电容和栅极电荷，为高效率的功率开关应用奠定了物理基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）为30V，适用于常见的低压直流总线环境。在25°C环境温度下，连续漏极电流（Id）额定值高达9.7A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）是关键性能指标，在10V栅源驱动电压（Vgs）和11.6A漏极电流条件下，最大值仅为16毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗极低，有助于提升系统整体能效。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.95V，并与较低的栅极总电荷（Qg，最大值18.85nC @ 10V）相结合，使得该器件易于被逻辑电平信号驱动，并能实现快速的开关转换，减少开关损耗。

在接口与参数方面，该器件设计为表面贴装，采用坚固的TO-252-3封装，具有良好的散热性能和机械强度。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，提供了安全的驱动裕量。输入电容（Ciss）在15V漏源电压下最大值为867pF，较低的电容值有助于简化驱动电路设计。器件的结温（Tj）工作范围宽达-55°C至150°C，确保了其在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取产品与相关服务。

基于其优异的性能参数，DMG4468LK3-13非常适合应用于对效率和空间有较高要求的现代电子设备中。典型应用场景包括直流-直流（DC-DC）转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、负载开关以及各类电源管理模块。其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，使其成为提升笔记本电脑、电信设备、消费类电子产品和工业控制系统功率密度与效率的理想选择。

• 型号:DMG4468LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 11.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.95V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:867 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.68W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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