DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13是一款由Diodes Incorporated设计生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET工艺技术制造。该器件在紧凑的8-SOP封装内集成了高性能的功率开关核心，其结构设计优化了载流子迁移路径，有效降低了导通电阻和寄生电容，从而在开关速度与导通损耗之间取得了出色的平衡。这种架构使其能够在高频开关应用中保持高效率，同时确保良好的热稳定性。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压(Vdss)为30V，连续漏极电流(Id)在25°C环境温度下可达10A，为中等功率应用提供了充足的电流处理能力。其导通电阻(Rds(on))在10V驱动电压(Vgs)和10A漏极电流条件下典型值极低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极阈值电压(Vgs(th))典型值较低，且栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)均维持在较低水平，这意味着器件所需的驱动功率小，开关速度快，能够显著降低开关过程中的能量损耗，尤其适用于高频PWM控制场景。

在接口与参数方面，DMG4496SSS-13的驱动电压范围宽泛，标准驱动电平为4.5V至10V，并且栅源电压最大可承受±25V，增强了其抗干扰能力和与多种逻辑电平控制器（如MCU、专用驱动IC）的兼容性。其表面贴装型8-SOP封装不仅节省了PCB空间，还优化了散热路径，结合-55°C至150°C的宽结温工作范围，确保了器件在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取该产品及相关设计资源。

基于其优异的性能组合，DMG4496SSS-13非常适合应用于对效率和空间有较高要求的现代电子系统中。典型应用场景包括DC-DC同步整流转换器中的低压侧开关、电机驱动电路中的H桥或半桥结构、锂电池保护板以及各类负载开关。在这些应用中，其低导通电阻和快速开关特性有助于提升整体能效，延长电池续航，并减小磁性元件的体积，是实现高功率密度、高效率电源解决方案的理想选择。

• 型号:DMG4496SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:21.5 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:493.5 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.42W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• 现在可以订购DMG4496SSS-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。