DMG6402LDM-7

DMG6402LDM-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术，其核心设计旨在实现低导通电阻与高电流处理能力的平衡，同时优化了开关特性，以满足现代紧凑型电子设备对高效率功率转换和开关控制的需求。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值低至27毫欧（在7A电流条件下测得），这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。其阈值电压典型值为2V，确保了在标准逻辑电平下的可靠开启，同时提供了良好的噪声抑制能力。器件支持高达±20V的栅源电压，增强了栅极驱动的鲁棒性。其低栅极电荷（Qg最大值9.2nC @ 10V）和输入电容（Ciss最大值404pF @ 15V）是其另一关键优势，这意味着在高速开关应用中，所需的驱动功率更小，开关速度更快，开关损耗得以进一步降低。

在电气参数方面，DMG6402LDM-7具备30V的漏源击穿电压，可承受高达5.3A的连续漏极电流，最大功耗为1.12W。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。物理封装上，它采用了微型化的SOT-26表面贴装封装，占板面积小，非常适合高密度PCB布局。对于需要稳定可靠货源的设计项目，可以通过专业的DIODES芯片代理渠道获取此型号。

凭借其优异的性能组合，这款MOSFET非常适合应用于对空间和效率有严格要求的领域。其主要应用场景包括但不限于：负载开关、DC-DC转换器中的同步整流或功率开关、电机驱动控制电路、电池保护板以及便携式设备中的电源管理模块。在这些应用中，其快速开关能力和低导通损耗有助于延长电池续航时间，减少发热，并提升系统的功率密度。

• 型号:DMG6402LDM-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:404 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.12W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6
• 现在可以订购DMG6402LDM-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。