DMG6402LVT-7

Diodes Incorporated推出的DMG6402LVT-7是一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术，其核心设计旨在实现低导通电阻与快速开关特性的优异平衡。其紧凑的TSOT-26封装内部集成了优化的单元结构，有效降低了寄生参数，为高效率的功率转换和控制提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压（Vdss）和在25°C环境温度下达6A的连续漏极电流（Id）能力，展现了良好的功率处理潜力。其导通电阻（Rds(on)）特性尤为突出，在10V栅源驱动电压（Vgs）和7A漏极电流条件下，最大值仅为30毫欧，这意味着在导通状态下产生的传导损耗极低，有助于提升系统整体能效。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2V，并与4.5V至10V的标准逻辑电平驱动电压良好兼容，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动，简化了外围设计。

在动态性能方面，DMG6402LVT-7拥有较低的栅极电荷（Qg，最大值11.4nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值498pF @ 15V）。这些参数直接关系到开关速度与驱动电路的功耗，较低的数值意味着更快的开关瞬态和更低的栅极驱动损耗，特别适合高频开关应用。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。其最大功耗为1.75W（Ta），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。通过正规的DIODES代理渠道获取，可以保证产品的原装正品与稳定供应。

凭借其优异的电气特性与表面贴装（SMT）的TSOT-26封装，该器件非常适合空间受限、对效率要求高的应用场景。其主要应用方向包括直流-直流（DC-DC）转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动电路中的H桥或半桥功率级，以及电池管理系统（BMS）中的充放电控制与保护电路。在便携式设备、分布式电源模块及自动化控制系统中，它能有效实现高效的功率分配与精准的负载控制。

• 型号:DMG6402LVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:498 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.75W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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