DMG6968LSD-13

DMG6968LSD-13是Diodes Incorporated推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，并封装在紧凑的8引脚SOP封装中。该器件基于硅基MOSFET架构，其核心设计旨在优化功率转换效率和开关性能，通过精密的半导体工艺控制沟道电阻和栅极电容，从而在较低的栅极驱动电压下实现优异的导通特性。

该MOSFET具备20V的漏源击穿电压(Vdss)和6.5A的连续漏极电流(Id)能力，适用于中低电压、中电流的功率开关场景。其显著特性在于极低的导通电阻，在1.8V的栅源电压(Vgs)和3.5A的漏极电流条件下，导通电阻(Rds(on))最大值仅为36毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为700mV，结合最大8.5nC的栅极电荷(Qg)和151pF的输入电容(Ciss)，表明该器件易于驱动，能够实现快速开关，减少开关损耗，特别适合高频开关应用。

在接口与参数方面，DIODES代理提供的这款表面贴装器件主要电气参数明确，为电路设计提供了可靠依据。其设计平衡了电压耐受、电流承载能力与开关速度，封装形式便于自动化贴装，适合高密度PCB布局。虽然该产品目前已处于停产状态，但其技术参数在特定应用中仍具参考价值。

基于其技术特性，DMG6968LSD-13典型应用于需要高效功率管理的领域，例如DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动控制电路、电池保护电路以及便携式设备的电源分配模块。其低导通电阻和良好的开关特性使其在空间受限且对效率有要求的场景中，曾是值得考虑的解决方案之一。

• 型号:DMG6968LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:36 毫欧 @ 3.5A，1.8V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:151 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:-
• 封装/外壳:-
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