DMG7401SFG-7

DMG7401SFG-7是一款由Diodes Incorporated设计制造的先进功率MOSFET器件。该器件采用成熟的P沟道MOSFET技术，构建于优化的功率半导体工艺平台之上，其核心设计旨在实现低导通损耗与高效率的开关性能。其结构经过精心优化，以在紧凑的封装内实现优异的电气特性与热性能平衡，为现代高密度电源和负载管理应用提供了可靠的半导体解决方案。

该器件的一个突出特性是其极低的导通电阻，在20V栅源电压和12A漏极电流条件下，其RDS(on)最大值仅为11毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体效率并减少发热。高达9.8A的连续漏极电流能力与30V的漏源击穿电压，使其能够胜任多种中功率开关与负载切换任务。其栅极驱动设计兼容宽范围电压，驱动电压范围覆盖4.5V至20V，便于与常见的3.3V、5V、12V逻辑电平或PWM控制器直接接口，简化了驱动电路设计。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在58nC @ 10V，有助于降低开关损耗并提升高频开关性能。

在接口与参数方面，DMG7401SFG-7采用表面贴装型PowerDI3333-8封装，该封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，适合自动化贴装生产。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。器件的静态参数，如最大栅源电压为±25V，提供了足够的驱动安全裕度；输入电容（Ciss）等动态参数也经过优化，以平衡开关速度与EMI性能。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取原装正品和技术支持。

基于其性能组合，DMG7401SFG-7非常适合应用于对效率和空间均有要求的场景。典型应用包括但不限于：DC-DC转换器中的负载开关、电源路径管理、电池供电设备的反向极性保护、电机驱动中的H桥电路，以及各类消费电子、工业控制和通信设备中的功率分配与开关模块。其稳健的设计使其成为工程师在构建高效、紧凑型功率管理系统时的优选器件。

• 型号:DMG7401SFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 12A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:58 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2987 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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