DMG7401SFGQ-13

DMG7401SFGQ-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET技术的P沟道功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心设计旨在实现低导通损耗与高效率的功率开关控制。其结构优化了载流子迁移路径，结合精密的沟道与栅极设计，在确保高电流处理能力的同时，有效控制了寄生参数，为开关电源和电机驱动等应用提供了可靠的半导体解决方案。

该芯片的显著特性体现在其优异的电气性能上。作为一款30V耐压的P沟道器件，它在4.5V至20V的宽泛栅极驱动电压范围内，均能实现较低的导通电阻，其典型值在特定条件下可低至11毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。高达9.8A的连续漏极电流处理能力使其能够胜任主流功率路径的开关任务。此外，其栅极电荷(Qg)最大值仅为58nC，配合优化的输入电容，有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升开关频率并简化驱动电路设计。

在接口与参数方面，该器件采用表面贴装型的PowerDI3333-8封装，具有良好的散热性能和紧凑的占板面积。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。关键的阈值电压Vgs(th)最大值为3V，与标准逻辑电平兼容性好，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动。对于需要可靠供应链的客户，可以通过正规的DIODES授权代理获取原厂正品和技术支持。

基于其性能组合，DMG7401SFGQ-13非常适用于需要高效率电源管理的场景。典型应用包括直流-直流转换器中的负载开关、电源反向保护、电池供电设备的功率分配，以及低压电机驱动和伺服控制。其低导通电阻和高电流能力使其成为空间受限且对热管理有要求的便携式设备、计算平台和工业控制模块中功率开关部分的理想选择。

• 型号:DMG7401SFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 12A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:58 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2987 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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