DMG7408SFG-7

作为一款采用先进MOSFET技术的N沟道功率器件，DMG7408SFG-7在紧凑的封装内实现了优异的电气性能。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术，通过优化的沟道设计和制造工艺，旨在提供低导通电阻与高开关效率的平衡。该器件采用PowerDI3333-8封装，这是一种专为高功率密度应用而设计的表面贴装型封装，具有良好的热性能和空间利用率。

在电气特性方面，该器件展现出显著的优势。其最大漏源电压(Vdss)为30V，在25°C环境温度下可支持高达7A的连续漏极电流，适用于中低电压、中等电流的开关场景。其导通电阻表现突出，在10V驱动电压(Vgs)和10A漏极电流(Id)条件下，最大导通电阻(Rds(on))仅为23毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。栅极驱动特性也经过优化，最大栅极阈值电压(Vgs(th))为2.4V，且在10V Vgs下的最大栅极电荷(Qg)仅为17nC，这有助于降低驱动电路的功耗并实现更快的开关速度，对于高频开关应用至关重要。

该MOSFET的接口与参数设计充分考虑了实际应用的鲁棒性。其栅源电压(Vgs)可承受±20V的最大值，提供了较高的驱动噪声容限。输入电容(Ciss)在15V Vds下最大值为478.9pF，结合较低的Qg，共同确保了简洁高效的栅极驱动设计。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应苛刻的环境条件。其最大功率耗散为1W，结合PowerDI3333-8封装的热特性，为散热设计提供了基础。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过专业的DIODES芯片代理获取相关产品信息与技术支持。

基于其性能组合，DMG7408SFG-7非常适合于空间受限且对效率有要求的现代电子设备。其典型的应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动控制电路、电池管理系统中的保护开关，以及各类便携式设备、消费电子和工业控制模块中的电源管理单元。尽管其零件状态标注为停产，但在一些现有设计的维护或特定需求中，它仍代表了一种在特定电压电流范围内经过验证的解决方案。

• 型号:DMG7408SFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:478.9 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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