DMG7702SFG-13

DMG7702SFG-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件采用优化的垂直架构设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。其核心基于成熟的金属氧化物半导体工艺，确保了在宽温度范围内的稳定性和可靠性，同时集成的体肖特基二极管为感性负载开关应用提供了关键的保护功能，有效抑制了电压尖峰。

该器件在电气性能上表现出色，其最大漏源电压(Vdss)为30V，在25°C环境温度下可支持高达12A的连续漏极电流(Id)。其导通电阻极低，在10V栅源驱动电压和13.5A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为10毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。驱动特性方面，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2.5V，与标准逻辑电平兼容，而最大栅极电荷(Qg)仅为14.7nC，结合4310pF的输入电容，意味着其开关速度快，栅极驱动损耗小，特别适合高频开关应用。

在封装与接口层面，DIODES代理提供的这款芯片采用表面贴装型PowerDI3333-8封装。这种紧凑型封装具有优异的热性能，其结到环境的热阻特性支持最大890mW的功率耗散，结合宽广的工作结温范围（-55°C至150°C），使其能够适应苛刻的工业环境。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了充足的驱动安全裕度。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和快速开关特性，DMG7702SFG-13非常适用于空间受限且对效率要求高的应用场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、电机驱动控制电路、电池保护模块以及各类便携式设备中的电源管理单元。其稳健的设计使其成为需要高功率密度和可靠性的现代电子系统的理想选择。

• 制造商产品型号：DMG7702SFG-13
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：14.7nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4310pF @ 15V
• FET功能：肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）：890mW（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：PowerDI3333-8
• 现在可以订购DMG7702SFG-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。