DMG8N65SCT

Diodes Incorporated推出的DMG8N65SCT是一款采用N沟道平面MOSFET技术的功率开关器件，其核心架构基于成熟的硅基工艺，旨在实现高压环境下的高效能与可靠性。该器件采用TO-220AB通孔封装，具备出色的热管理能力，其设计严格遵循汽车级AEC-Q101标准，确保了在严苛环境下的稳定运行与长寿命周期。

该MOSFET的突出特性在于其高达650V的漏源击穿电压(Vdss)与在25°C壳温下8A的连续漏极电流(Id)能力，为高压开关应用提供了坚实的保障。其导通电阻(RdsOn)在10V驱动电压(Vgs)及4A电流条件下最大值为1.3欧姆，这一特性有效降低了导通损耗，提升了系统整体效率。同时，最大栅极电荷(Qg)仅为30nC，结合1217pF的输入电容(Ciss)，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有利于高频开关电源的设计优化。

在接口与参数方面，栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±30V，增强了系统的鲁棒性。其阈值电压(Vgs(th))最大为4V，提供了良好的噪声抑制能力。该器件的最大功耗为125W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，使其能够适应从工业到汽车电子的广泛温度环境。对于需要可靠供应链与技术支持的设计项目，通过DIODES一级代理进行采购是确保产品正宗与供货稳定的有效途径。

基于其高压、低损耗及高可靠性的特点，DMG8N65SCT非常适合应用于要求严苛的领域。典型应用场景包括开关模式电源(SMPS)的PFC和主开关电路、电机驱动与逆变器、工业照明镇流器以及汽车辅助电源系统。其汽车级认证使其成为车载充电器(OBC)、DC-DC转换器等新能源汽车电气化部件的理想选择，在提升功率密度的同时保障了系统的安全与耐久性。

• 型号:DMG8N65SCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220AB（TH 型）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1217 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220AB（TH 型）
• 封装/外壳:TO-220-3
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