DMG9N65CTI

DMG9N65CTI是Diodes Incorporated推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装于标准的ITO-220AB通孔封装内。该器件内部集成了一个快速恢复体二极管，其核心架构旨在实现高压开关应用中的高效能与可靠性平衡，通过优化的单元设计和工艺控制，在650V的高压环境下提供了稳定的阻断能力。

该MOSFET具备多项关键电气特性，其漏源击穿电压(Vdss)高达650V，使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关浪涌。在导通特性方面，当栅源驱动电压(Vgs)为10V时，其导通电阻(Rds(on))典型值较低，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。同时，其栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)经过优化，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使得开关速度更快，在高频应用中表现更佳。

在接口与参数层面，DMG9N65CTI在壳温(Tc)条件下连续漏极电流(Id)额定值为9A，最大允许栅源电压为±30V，提供了较宽的驱动安全裕度。其阈值电压(Vgs(th))设计合理，确保了良好的噪声免疫能力和可靠的关断特性。器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，并采用通孔安装的ITO-220AB封装，具有良好的机械强度和散热性能，方便在各类功率板上进行安装与热管理。对于需要可靠元器件供应的设计项目，可以通过正规的DIODES代理商获取该产品的技术支持和供应信息。

基于其高压、中电流的开关能力，这款MOSFET非常适合应用于离线式开关电源(SMPS)的PFC电路、反激或正激拓扑中的主开关、以及UPS、工业照明和电机控制等领域的功率转换部分。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备维护或特定设计中，它仍是一个经过市场验证的高性价比选择，尤其适用于对成本敏感且要求高压开关可靠性的工业与消费电子场景。

• 型号:DMG9N65CTI
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:ITO-220AB
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 9A ITO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2310 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:13W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:ITO-220AB
• 封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片
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