DMHC4035LSD-13

DMHC4035LSD-13是Diodes Incorporated推出的一款高度集成的H桥MOSFET阵列芯片，采用紧凑的8-SOIC封装。该器件内部集成了两个N通道和两个P通道的增强型MOSFET，其核心架构经过优化，专门用于构建高效的H桥功率驱动电路。这种集成设计不仅显著减少了外部元件数量和PCB占用面积，还通过精心的芯片布局和热设计，确保了在紧凑空间内实现可靠的功率切换与电流控制。

该芯片的FET均采用逻辑电平门设计，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，这意味着它可以直接由常见的3.3V或5V微控制器（MCU）或逻辑电路驱动，无需额外的电平转换或复杂的栅极驱动电路，极大地简化了系统设计。其导通电阻（RDS(on)）在10V Vgs条件下典型值仅为45毫欧（N通道），这一低导通特性有效降低了功率损耗和发热，提升了整体能效。同时，高达40V的漏源击穿电压（Vdss）为电机、螺线管等感性负载的反向电动势（EMF）提供了充足的电压裕量，增强了系统的鲁棒性。

在电气参数方面，DMHC4035LSD-13表现出色。其连续漏极电流（Id）在25°C下分别可达4.5A（N通道）和3.7A（P通道），能够满足中小功率应用的电流需求。较低的栅极电荷（Qg，最大值12.5nC）和输入电容（Ciss，最大值574pF）意味着开关速度快，开关损耗低，特别适合需要PWM（脉宽调制）控制的场合。芯片的结温（TJ）工作范围宽达-55°C至150°C，并采用表面贴装封装，适合自动化生产，确保了其在严苛工业环境下的稳定性和可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理进行采购与咨询。

基于其集成的H桥架构和优异的性能参数，该芯片是驱动直流有刷电机、步进电机绕组、以及其他双向负载的理想选择。它广泛应用于消费电子（如玩具、小型家电）、办公自动化设备（打印机、扫描仪）、工业控制系统中的小型执行机构，以及需要精密正反转控制的各类便携式设备中，为实现高效、紧凑和可靠的电机驱动解决方案提供了核心硬件支持。

• 型号:DMHC4035LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 和 2 P 沟道（全桥）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Ta），3.7A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 3.9A，10V，65 毫欧 @ 4.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5nC @ 10V，11.1nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:574pF @ 20V，587pF @ 20V
• 功率 - 最大值:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
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