DMHT6016LFJ-13

作为一款面向汽车电子应用的功率开关解决方案，DMHT6016LFJ-13采用了先进的VDFN5045-12封装，内部集成了四个独立的N沟道MOSFET。这种阵列式架构为需要多路独立开关控制的系统提供了高度集成的选择，有效节省了PCB空间并简化了外围电路设计。其核心基于优化的沟槽工艺技术，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的良好平衡，以满足汽车环境中对效率和可靠性的严苛要求。

该器件在25°C环境温度下能够提供高达14.8A的连续漏极电流，而其导通电阻在10A电流、10V栅源电压条件下典型值仅为22毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。极低的栅极电荷（典型值8.4nC @ 4.5V）是其另一突出特性，这意味着驱动电路所需的能量更少，有助于实现更快的开关速度和降低高频应用中的开关损耗。同时，其阈值电压最大值为3V，确保了与主流微控制器GPIO口的良好兼容性，便于直接驱动。

在电气接口与参数方面，该MOSFET阵列的输入电容典型值为864pF，这一特性结合低栅极电荷，使其特别适合高频PWM控制应用。器件采用表面贴装型封装，符合自动化生产需求。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，通过了AEC-Q101认证，确保了在汽车级应用中的长期稳定性和耐久性。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方授权的DIODES代理商获取原厂技术支持与供货保障。

凭借其高电流能力、低损耗特性以及汽车级的可靠性，DMHT6016LFJ-13非常适用于车身控制模块、LED照明驱动、电机预驱动器、电池管理系统中的负载开关等场景。在这些应用中，其多通道集成的优势能够直接替代多个分立MOSFET，简化设计并提升功率密度，是工程师开发下一代紧凑型、高效率汽车电子系统的理想选择。

• 型号:DMHT6016LFJ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN5045-12
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:4 N 沟道（全桥）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.8A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.4nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:864pF @ 30V
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:12-VDFN 焊盘
• 供应商器件封装:V-DFN5045-12
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