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DMHT6016LFJ-13
制造厂商:Diodes(美台半导体)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:12-VDFN
技术参数:MOSFET 4 N-CH 14.8A VDFN5045-12
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技术参数详情:
制造商产品型号:DMHT6016LFJ-13制造商:Diodes Incorporated描述:MOSFET 4 N-CH 14.8A VDFN5045-12系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:Automotive, AEC-Q101零件状态:有源FET类型:4 个 N 通道FET功能:标准漏源电压(Vdss):-25°C时电流-连续漏极(Id):14.8A(Ta)不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):22 毫欧 @ 10A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):8.4nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):864pF @ 30V功率-最大值:-工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:12-VDFN现在可以订购DMHT6016LFJ-13,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。