DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3是Diodes Incorporated推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装于标准的TO-251（也称为IPAK）通孔封装中。该器件设计用于处理高达700V的漏源电压，使其能够在高压开关应用中提供可靠的隔离与阻断能力。其内部架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，确保了在高压条件下仍能维持较低的传导损耗。

该MOSFET的核心特性在于其高压与中等电流处理能力的结合。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流额定值为4.6A，最大功耗为41W。其导通电阻在10V驱动电压、2.5A电流条件下典型值为1.3欧姆，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。栅极驱动设计兼容性强，标准10V驱动电压即可使其充分导通，同时栅极电荷（Qg）最大值仅为13.9nC @ 10V，这意味着开关过程中所需的驱动能量较低，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度。

在电气参数方面，该器件展现了良好的稳健性。其栅源电压（Vgs）可承受±30V的最大值，为驱动电路提供了较高的噪声容限。输入电容（Ciss）在50V漏源电压下最大值为351pF，较低的电容值有助于实现更快的开关瞬态响应。阈值电压Vgs(th)最大值为4V @ 250A，提供了明确的导通与关断界限。其宽泛的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，使其能够适应严苛的环境要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取该产品的技术支持和库存信息。

基于其700V的耐压和TO-251封装形式，DMJ70H1D3SI3非常适合应用于需要高压开关和中等功率处理的场合。典型应用包括离线式开关电源（SMPS）中的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动以及家用电器中的电机控制。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计在诸多成熟和经过验证的系统中仍具有参考价值，适用于对成本敏感且对长期可靠性有要求的后续维护或特定设计项目。

• 制造商产品型号：DMJ70H1D3SI3
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：700V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4.6A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.3 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：13.9nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：351pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：41W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-251
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