DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3是Diodes Incorporated推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术，并封装于TO-251（IPAK）通孔封装中。该器件基于优化的单元结构设计，旨在实现高耐压与良好导通特性之间的平衡，其核心在于通过精密的制造工艺控制沟道电阻与栅极电荷，从而在高压开关应用中提供可靠的性能。

该MOSFET的突出特性在于其700V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压、2.5A漏极电流条件下的导通电阻（Rds(on)）典型值仅为1.3欧姆，较低的导通损耗有助于提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为13.9nC（@10V），结合351pF的输入电容（Ciss），意味着开关过程中的栅极驱动损耗较低，有利于实现更高频率的开关操作并简化驱动电路设计。

在电气参数上，DIODES一级代理提供的技术资料显示，DMJ70H1D3SJ3在壳温（Tc）条件下可支持高达4.6A的连续漏极电流，最大功耗为41W。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力，降低了误触发的风险。器件的工作结温范围宽达-55°C至155°C，确保了其在严苛环境下的稳定性和长寿命。TO-251封装提供了良好的机械强度和散热能力，便于在PCB上进行安装和热管理。

凭借高耐压、适中的电流能力以及优化的开关特性，DMJ70H1D3SJ3非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动、家用电器中的电机控制以及各种AC-DC转换器中的高压侧开关。它是工程师在需要可靠、高效的高压开关解决方案时的一个实用选择。

• 制造商产品型号：DMJ70H1D3SJ3
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：700V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4.6A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.3 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：13.9nC @ 10V
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：351pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：41W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 155°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-251
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