DMN100-7-F

DMN100-7-F是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体技术，通过优化的单元设计和制造工艺，在极小的SC-59-3（SOT-23）封装内实现了优异的电气性能平衡。该器件旨在为空间受限的便携式和电池供电应用提供高效、可靠的开关解决方案。

该MOSFET的一个突出特性是其极低的导通电阻，在10V栅源电压和1A漏极电流条件下，典型值仅为240毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体效率并减少发热。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为5.5nC，结合150pF的输入电容，意味着极低的栅极驱动损耗和快速的开关速度，非常适合高频开关应用。其栅极驱动电压范围宽泛，在4.5V至10V之间均可实现良好的导通特性，确保了与多种逻辑电平的兼容性。

在电气参数方面，DMN100-7-F具备30V的漏源击穿电压（Vdss）和1.1A的连续漏极电流能力，为低压电路提供了充足的安全裕量。其静态特性稳定，栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，有助于防止误触发。器件采用表面贴装封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为500mW，能够适应严苛的环境要求。对于需要稳定供应链的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取原装正品和技术支持。

凭借其紧凑的尺寸、高效的性能和稳健的可靠性，这款MOSFET广泛应用于各类低压DC-DC转换器、负载开关、电源管理模块、电机驱动控制以及电池保护电路中。它特别适用于对功耗和空间有严格限制的消费电子、物联网设备、便携式医疗仪器和移动通信终端，是实现高效能、小型化设计的理想选择。

• 型号:DMN100-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SC-59-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:240 毫欧 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SC-59-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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