DMN100-7

作为一款采用先进半导体工艺制造的N沟道增强型功率MOSFET，DMN100-7在紧凑的封装内实现了优异的电气性能。其核心架构基于平面MOSFET技术，通过优化的单元设计和制造工艺，有效平衡了导通电阻、栅极电荷和开关速度等关键参数，为空间受限的现代电子设备提供了高效可靠的功率开关解决方案。

该器件具备多项突出的功能特性。其最大漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）在环境温度25°C时可达1.1A，能够满足多种低压、中电流应用的需求。尤为关键的是，在1A电流和10V栅源电压条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为240毫欧，这一低导通特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统的整体效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，确保了与主流逻辑电平控制信号的兼容性，便于驱动。

在动态参数方面，DMN100-7表现出色，其栅极总电荷（Qg）在10V条件下仅为5.5nC，输入电容（Ciss）为150pF。这些低电荷和低电容特性直接转化为快速的开关速度和较低的驱动损耗，特别适用于高频开关应用。器件采用标准的SC-59-3（SOT-23-3）表面贴装封装，最大功耗为500mW，其紧凑的尺寸使其非常适合高密度PCB布局。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取产品与相关服务。

凭借其综合性能，DMN100-7广泛应用于各类便携式设备、消费电子及工业控制领域。典型应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电池供电设备中的电源管理模块、电机驱动电路中的小功率控制，以及作为通用信号开关或电平转换器。其可靠的性能和经济的成本使其成为工程师在低压功率路径设计中的优选器件之一。

• Diodes公司完整型号：DMN100-7
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
• 系列：-
• FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
• FET 功能：标准
• 漏源极电压 (Vdss)：30V
• 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.1A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：240 毫欧 @ 1A，10V
• 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：150pF @ 10V
• 功率 - 最大值：500mW
• 安装类型：表面贴装
• 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装：SC-59-3
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