DMN1004UFDF-13

作为一款面向高效率、高密度电源设计的功率器件，DMN1004UFDF-13采用了先进的N沟道MOSFET技术，其核心架构基于优化的沟槽工艺。该工艺在单位面积内实现了更低的导通电阻（Rds(on)），这对于降低功率损耗至关重要。器件在4.5V驱动电压下，导通电阻典型值仅为4.8毫欧，这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的整体能效，尤其适用于电池供电或对热管理有严格要求的应用。

该MOSFET的功能特点围绕其卓越的开关性能与稳健性展开。极低的栅极电荷（Qg，最大值47nC）与适中的输入电容（Ciss）相结合，显著降低了开关过程中的驱动损耗，使得它在高频开关电源拓扑中能够快速响应，提升转换效率。同时，其栅源电压（Vgs）最大额定值为±8V，提供了良好的噪声容限和驱动安全性。对于需要可靠供应链的客户，通过正规的DIODES一级代理渠道采购，可以确保获得原厂正品和完整的技术支持。

在接口与关键参数方面，DMN1004UFDF-13的连续漏极电流（Id）在环境温度下额定为15A，漏源电压（Vdss）为12V，这使其非常适合处理中等电流的负载开关和同步整流任务。其采用紧凑的U-DFN2020-6（6引脚超薄型双扁平无引线）表面贴装封装，占板面积极小，有助于实现高功率密度的PCB布局。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行，最大功耗为2.1W。

基于上述技术特性，DMN1004UFDF-13的主要应用场景集中在空间受限且对效率敏感的设备中。它是笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式电子设备内部DC-DC转换器（特别是负载点降压转换器）中同步整流或主开关管的理想选择。此外，在服务器VRM（电压调节模块）、分布式电源系统以及各类电机驱动和电池保护电路的低压侧开关应用中，该器件也能凭借其低导通电阻和快速开关能力，有效提升系统性能和可靠性。

• 型号:DMN1004UFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 毫欧 @ 15A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2385 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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