DMN1004UFV-7

DMN1004UFV-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8（UX类）表面贴装封装，专为在极低导通电阻与快速开关性能之间取得最佳平衡而设计。其核心架构优化了单元密度与栅极电荷，旨在实现高效率的功率转换与控制。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通损耗。在4.5V驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值仅为3.8毫欧（@15A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为47nC（@8V），结合较低的输入电容（Ciss），确保了快速的开关瞬态响应，有助于降低开关损耗并允许更高频率的操作，从而减小外围无源元件的尺寸。

在电气参数方面，DMN1004UFV-7具备12V的漏源击穿电压（Vdss）和高达70A的连续漏极电流（Id）能力，使其能够处理可观的功率。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±8V，而阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，表明该器件兼容低电压逻辑驱动，易于被现代微控制器或驱动IC直接或通过简单电路驱动。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取产品与相关服务。

凭借其高性能与小型化封装，DMN1004UFV-7非常适用于空间受限且对效率要求极高的应用场景。其主要应用方向包括服务器、通信设备的负载点（POL）同步整流和DC-DC转换器中的高端或低端开关。此外，在笔记本电脑、显卡的VRM（电压调节模块）、电池保护电路以及各类便携式设备的电源管理单元中，它也是实现高效功率处理的理想选择。

• 型号:DMN1004UFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 15A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2385 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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