DMN1019USNQ-13技术参数详情：
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- 型号:DMN1019USNQ-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SC-59-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T\\u0026R 10
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:12 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.3A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 9.7A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:800mV @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50.6 nC @ 8 V
- Vgs（最大值）:±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2426 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:680mW（Ta）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SC-59-3
- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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