DMN1019UVT-13

作为一款采用先进MOSFET技术制造的N沟道功率开关器件，DMN1019UVT-13在紧凑的封装内实现了优异的电气性能。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管设计，通过优化的沟道与栅极结构，旨在提供极低的导通损耗和快速的开关响应。该器件采用热增强型表面贴装封装，确保了在连续工作条件下的可靠散热能力，这对于维持长期稳定性和延长产品寿命至关重要。

在功能表现上，该器件最突出的特性是其极低的导通电阻，在4.5V栅极驱动电压和9.7A漏极电流条件下，其Rds(On)最大值仅为10毫欧。这一特性直接转化为高效率，能显著降低功率转换或开关应用中的传导损耗。同时，其低栅极阈值电压（Vgs(th)最大800mV）和优化的栅极电荷（Qg最大50.4nC @ 8V）使得它能够被低电压逻辑电平轻松驱动，并实现快速的开关速度，这对于高频开关电源和电机驱动控制等应用尤为重要。

从接口与参数来看，DMN1019UVT-13设计有12V的漏源击穿电压（Vdss），能够安全地工作在常见的5V或12V低压总线系统中。其连续漏极电流（Id）在环境温度下可达10.7A，展现了强大的电流处理能力。器件采用TSOT-26封装，这是一种超小型的表面贴装形式，非常适合高密度PCB布局。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的适应性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取此产品及相关设计资源。

基于上述技术特点，该MOSFET非常适合应用于对空间和效率有严格要求的现代电子设备中。典型应用场景包括笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的DC-DC同步整流和负载开关，能够有效提升电池续航时间。此外，在低压电机驱动、电源管理模块、电池保护电路以及各类便携式设备的功率分配系统中，它都能发挥关键作用，是实现高效、紧凑型电源解决方案的理想选择。

• 型号:DMN1019UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 9.7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:800mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50.4 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2588 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.73W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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