DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道增强型功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现极低的导通电阻（R_DS(on)）与快速的开关特性之间的平衡。该器件采用紧凑的TSOT-26封装，在极小的占板面积内集成了高性能的功率处理能力，其沟道技术有效降低了栅极电荷和米勒电容，为高频开关应用提供了基础。

该MOSFET的关键电气特性使其在低电压、大电流场景中表现突出。其漏源击穿电压（V_DSS）为12V，在环境温度（T_a）下连续漏极电流（I_D）额定值高达10.7A。更值得关注的是，在驱动电压V_GS为4.5V、漏极电流I_D为9.7A的条件下，其导通电阻最大值仅为10mΩ，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为800mV，且驱动电压范围宽（1.2V至4.5V），确保了与低压微控制器或逻辑电路的直接兼容性，简化了驱动电路设计。

在动态参数方面，DIODES代理提供的技术资料显示，该器件在V_GS=8V时的总栅极电荷（Q_g）最大值仅为50.4nC，结合V_DS=10V时最大2588pF的输入电容（C_iss），共同决定了其出色的开关速度，有助于降低开关过程中的功率损耗。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，表面贴装的TSOT-26封装提供了良好的热性能，最大功耗为1.73W（T_a），适合高密度PCB布局。

基于上述特性，DMN1019UVT-7非常适合应用于空间受限且对效率要求苛刻的场合。典型应用包括便携式设备中的负载开关、电池保护电路、DC-DC同步整流转换器的低压侧开关，以及电机驱动、LED照明控制等系统中的功率管理部分。其优异的R_DS(on)和开关性能使其成为提升终端产品能效和功率密度的理想选择。

• 型号:DMN1019UVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 9.7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:800mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50.4 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2588 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.73W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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