DMN1023UCB4-7

DMN1023UCB4-7是一款由Diodes Incorporated推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的半导体工艺制造。该器件采用超紧凑的U-WLB1010-4封装，其核心架构旨在实现极低的导通损耗和高效的开关性能，以满足现代高密度电源管理和负载开关应用对空间与效率的严苛要求。

该MOSFET在4.5V栅极驱动电压下，仅需1A的测试电流即可实现23毫欧的典型导通电阻（Rds(on)），这一特性显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体能效。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.2V（测试条件为250A漏极电流），确保了在低电压逻辑电平下的可靠驱动与快速开关响应。器件在环境温度（Ta）下可支持高达5.1A的连续漏极电流，具备较强的电流处理能力。

在接口与参数方面，该器件为表面贴装型，其U-WLB1010-4封装尺寸极小，非常适合空间受限的PCB设计。工作结温范围宽达-55°C至150°C，使其能够适应工业、消费电子及汽车等各类环境下的严苛温度条件，保证了应用的可靠性与鲁棒性。对于需要稳定供应链和原厂技术支持的客户，可以通过正规的DIODES授权代理进行采购。

得益于其低导通电阻、紧凑封装和宽工作温度范围，DMN1023UCB4-7非常适合应用于便携式设备的电源管理、电池保护电路、电机驱动中的预驱动级、DC-DC转换器的同步整流以及各类负载开关场景。其设计平衡了性能、尺寸与成本，是工程师在追求高效率和小型化设计时的优选功率开关解决方案。

• 型号:DMN1023UCB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-WLB1010-4（C 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 5.1A U-WLB1010-4
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:-
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 1A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:288 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-WLB1010-4（C 类）
• 封装/外壳:4-UFBGA，WLBGA
• 现在可以订购DMN1023UCB4-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。