DMN1032UCB4-7

Diodes Incorporated推出的DMN1032UCB4-7是一款采用先进U-WLB1010-4封装技术的N沟道增强型功率MOSFET。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术构建，其核心优势在于将优异的导通性能与极小的物理尺寸相结合。其紧凑的晶圆级封装不仅显著减少了占板面积，还优化了热性能，使其成为空间受限的现代便携式电子设备的理想选择。

该MOSFET具备12V的漏源击穿电压（Vdss）和在25°C环境温度下达4.8A的连续漏极电流（Id）能力。其导通电阻（Rds(on)）表现突出，在4.5V栅源驱动电压（Vgs）和1A漏极电流条件下，最大值仅为26毫欧。这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，器件拥有极低的栅极电荷（Qg），最大值仅为4.5nC @ 4.5V，配合1.8V至4.5V的宽泛低驱动电压范围，使其能够被微控制器或低电压逻辑电路轻松、快速地驱动，从而有效降低开关损耗并提升开关频率。

在电气参数方面，DMN1032UCB4-7的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.2V，确保了与低压数字信号的可靠兼容性。其输入电容（Ciss）最大值为450pF，结合低栅极电荷，共同优化了开关动态性能。器件的栅源电压可承受±8V，提供了良好的栅极保护裕量。其最大功率耗散为900mW，工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的稳定性和可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES一级代理进行采购与咨询。

凭借其高效率、小尺寸和低电压驱动的特点，该器件主要面向高密度、电池供电的便携式设备。其典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理模块，如负载开关、DC-DC转换器的同步整流或功率开关、电池保护电路以及电机驱动控制等。在这些应用中，它能够有效延长电池续航时间，并帮助实现产品更轻薄的设计目标。

• 型号:DMN1032UCB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-WLB1010-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26 毫欧 @ 1A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-WLB1010-4
• 封装/外壳:4-UFBGA，WLBGA
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