DMN1045UFR4-7

DMN1045UFR4-7是一款由Diodes Incorporated设计生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET工艺制造。该器件在紧凑的X2-DFN1010-3封装内集成了高性能的功率开关功能，其核心架构优化了沟道设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。这种设计使得器件在较低的栅极驱动电压下即可实现高效导通，有效降低了栅极驱动电路的复杂性和功耗，为空间受限且对效率要求严格的应用提供了理想的解决方案。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压（Vdss）为12V，在25°C环境温度下可支持高达3.2A的连续漏极电流，适用于低压大电流的开关场景。其导通电阻（Rds(On)）在Vgs=4.5V、Id=3.2A的条件下典型值仅为45毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，器件的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，而驱动电压范围覆盖1.5V至4.5V，表明其与低电压逻辑电平（如3.3V或5V）具有良好的兼容性，便于由微控制器或数字逻辑电路直接驱动，简化了系统设计。

在动态性能方面，DMN1045UFR4-7表现出优异的开关特性。其在Vgs=4.5V时的最大栅极总电荷（Qg）仅为4.8nC，结合最大值为375pF的输入电容（Ciss），共同决定了极低的栅极驱动损耗和快速的开关速度。这有助于在高频开关应用中减少开关过渡时间，从而降低开关损耗并提升整体能效。器件的功率耗散能力为500mW，宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在苛刻环境下的可靠运行。其表面贴装封装形式符合现代电子装配的自动化生产要求。

基于其技术参数，该器件主要面向需要高效功率管理和负载开关的便携式电子设备、电池供电系统以及低压DC-DC转换器。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器中的电源路径管理、负载开关、电机驱动以及LED背光驱动等。对于需要可靠供应链保障的批量项目，建议通过官方DIODES授权代理进行采购，以确保获得正品元器件和全面的技术支持。

• 型号:DMN1045UFR4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1010-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 3.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:375 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1010-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• 现在可以订购DMN1045UFR4-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。