DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装，在-55°C至150°C的宽结温范围内保持稳定工作，其核心设计旨在实现高电压耐受能力与低导通损耗的平衡。其100V的漏源击穿电压（Vdss）为开关应用提供了充足的电压裕量，而优化的芯片架构则有效控制了寄生电容参数。

在电气性能方面，该MOSFET在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至80毫欧（在3.3A条件下测量），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，并与6V至10V的标准驱动电压范围良好匹配，确保了在数字控制器下的可靠开启与关断。同时，最大25.2nC的栅极总电荷（Qg @ 10V）和1172pF的输入电容（Ciss @ 50V）处于较低水平，有助于降低开关损耗并提升高频开关性能，简化了栅极驱动电路的设计。

该器件支持高达±20V的栅源电压，增强了抗栅极噪声干扰的能力。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值为4.2A，最大功率耗散为980mW，结合其低热阻封装，能够有效管理热性能。对于需要可靠供应链支持的批量项目，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购是确保产品正宗性和供货稳定的重要途径。

凭借其高电压、低导通电阻和快速开关特性，DMN10H099SFG-7非常适用于空间受限且对效率要求苛刻的DC-DC转换器、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理模块。其稳健的电气参数使其成为在工业自动化、消费电子及通信设备中实现高效功率切换的理想选择。

• 型号:DMN10H099SFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1172 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:980mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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