DMN10H099SK3-13

作为一款面向高效功率管理应用的N沟道功率MOSFET，DMN10H099SK3-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物）半导体技术，其核心架构旨在实现低导通损耗与快速开关特性的平衡。器件基于成熟的平面工艺，通过优化单元结构和沟道设计，在保证100V漏源电压（Vdss）额定值的同时，有效降低了导通电阻和栅极电荷，这为提升系统整体效率奠定了物理基础。

该器件在功能上表现出色，其最大导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、3.3A电流条件下仅为80毫欧，这意味着在导通状态下产生的功耗极低，有助于减少热量积累并提升能效。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，并与较低的栅极总电荷（Qg，最大值25.2nC @ 10V）相结合，使得器件易于驱动，并能实现快速的开关转换，这对于高频开关应用至关重要。其高达17A的连续漏极电流（Tc）承载能力和34W（Tc）的最大功率耗散，确保了在紧凑空间内也能处理可观的功率水平。

在接口与关键参数方面，DMN10H099SK3-13提供了宽泛且可靠的工作边界。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，为驱动电路设计提供了充足的裕量。输入电容（Ciss）在50V条件下最大为1172pF，这一参数与Qg共同影响着开关速度与驱动需求。器件采用表面贴装型的TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能和机械强度，便于自动化生产。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的工业环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过正规的DIODES代理渠道进行采购与咨询。

凭借100V的耐压、低导通电阻和快速开关能力，该MOSFET非常适合应用于需要高效电能转换的领域。典型应用场景包括开关电源（SMPS）中的初级侧或次级侧同步整流、DC-DC转换器、电机驱动控制电路以及各类负载开关。它在提升笔记本电脑适配器、工业电源、电动工具和汽车电子等设备的功率密度与可靠性方面，能够发挥关键作用。

• 型号:DMN10H099SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 17A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1172 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:34W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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