DMN10H120SFG-13

作为一款高性能的N沟道功率MOSFET，DMN10H120SFG-13采用了先进的平面MOSFET技术，其核心架构旨在实现高效率与高可靠性的平衡。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管设计，通过优化的单元结构和制造工艺，在紧凑的封装内实现了优异的电气性能。其设计重点在于降低导通损耗和开关损耗，这对于提升整体电源系统的效率至关重要。

该器件的一个显著特点是其低导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动电压和3.3A漏极电流条件下，最大值仅为110毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，使得在开关电源或电机驱动等应用中能够有效减少发热，提升能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为10.6nC，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于在高频开关电路中优化性能并简化驱动电路设计。

在接口与关键参数方面，DMN10H120SFG-13具备100V的漏源击穿电压（Vdss）和3.8A的连续漏极电流（Id）能力，为其提供了宽泛的安全工作区。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±20V，增强了抗干扰能力。器件采用热增强型的PowerDI3333-8表面贴装封装，具有良好的散热特性，最大功耗为1W，结合其-55°C至150°C的宽结温工作范围，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取此型号产品。

凭借上述技术特性，该MOSFET非常适合应用于对效率和空间有较高要求的领域。其主要应用场景包括DC-DC转换器、负载开关、电机控制驱动以及各类便携式设备、消费电子和工业控制系统的电源管理模块。其快速开关能力和良好的热性能，使其成为构建紧凑、高效功率解决方案的理想选择。

• 型号:DMN10H120SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:549 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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