DMN10H120SFG-7

DMN10H120SFG-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装，专为在有限空间内实现高效功率切换而设计。其核心架构基于优化的单元设计，旨在平衡导通电阻、栅极电荷和开关性能，为100V电压等级的应用提供了一个高性价比的解决方案。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至110毫欧（在3.3A条件下），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为3V，结合最大±20V的栅源电压耐受能力，确保了与常见逻辑电平或模拟驱动电路的兼容性及足够的驱动安全裕度。此外，低至10.6nC的栅极总电荷（Q_g）显著降低了开关过程中的驱动损耗，有利于提升高频开关应用的性能。

在电气参数方面，该器件具备100V的漏源击穿电压（V_{DSS）和3.8A的连续漏极电流（ID）能力，适用于中等功率等级。其输入电容（Ciss）在50V条件下最大值为549pF，与低栅极电荷特性共同决定了其快速的开关响应。器件在环境温度（Ta）下的最大功率耗散为1W，结温工作范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理商获取该产品及相关设计资源。}

凭借其平衡的性能组合，DMN10H120SFG-7非常适合用于DC-DC转换器、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理模块中的负载开关或同步整流环节。其表面贴装形式和PowerDI3333封装使其能够轻松集成到高密度的PCB布局中，满足现代消费电子、工业控制及通信设备对高效率、小尺寸功率解决方案的持续需求。

• 型号:DMN10H120SFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:549 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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