DMN10H170SFGQ-13

DMN10H170SFGQ-13是Diodes Incorporated推出的一款采用PowerDI3333-8封装、符合AEC-Q101标准的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，其核心架构针对高能效功率开关应用进行了优化。其沟道设计在保证高电流处理能力的同时，有效控制了器件的物理尺寸，使其在紧凑的汽车级与工业级电源管理模块中成为理想选择。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压(Vdss)高达100V，为负载开关、电机驱动及DC-DC转换器中的感性负载提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻(Rds(on))典型值极低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的整体能效。同时，其栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)均维持在较低水平，这显著降低了开关过程中的驱动损耗，有助于提升高频开关应用的性能并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数层面，该器件设计灵活，其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电平为10V，同时支持低至4.5V的逻辑电平驱动，便于与微控制器等低压数字电路直接接口。其连续漏极电流在特定散热条件下可达8.5A，展现出强大的电流处理能力。器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，结合其符合AEC-Q101标准的汽车级产品系列认证，确保了其在严苛环境下的稳定性和长寿命。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取完整的技术支持与供货保障。

基于其高耐压、低导通电阻、优异的开关特性以及汽车级的可靠性，DMN10H170SFGQ-13非常适用于需要高效率和高可靠性的应用场景。典型应用包括汽车电子系统中的电机控制（如风扇、泵、车窗升降器）、负载开关、LED照明驱动，以及工业领域的DC-DC转换器、电源管理和电池保护电路。其表面贴装型PowerDI3333封装具有良好的散热性能，便于在现代高密度PCB板上实现自动化生产。

• 型号:DMN10H170SFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A（Ta），8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:122 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870.7 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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