DMN10H170SVT-7

DMN10H170SVT-7是一款由Diodes Incorporated设计生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件构建于成熟的硅基工艺之上，其核心架构旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。其栅极结构经过优化，能够有效控制沟道导通与关断，确保在宽泛的电压和电流范围内保持稳定的性能表现，这对于提升系统效率和可靠性至关重要。

该MOSFET具备100V的漏源击穿电压(Vdss)，提供了良好的电压裕量，增强了其在开关应用中应对电压尖峰的能力。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值为2.6A，能够满足中等功率级别的负载驱动需求。其导通电阻(Rds(on))表现突出，在10V栅源电压(Vgs)和5A漏极电流条件下，最大值仅为160毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，而推荐的驱动电压范围为4.5V至10V，这使得它既能兼容标准的3.3V或5V逻辑电平进行驱动，也能在更高驱动电压下获得更优的导通性能。

在动态特性方面，DMN10H170SVT-7的栅极总电荷(Qg)在10V Vgs下最大值为9.7nC，较低的栅极电荷有助于降低开关过程中的驱动损耗，并允许使用更小、更经济的栅极驱动器，从而实现更高的开关频率。其输入电容(Ciss)在25V Vds下最大值为1167pF。器件采用紧凑的TSOT-26表面贴装封装，占板面积小，非常适合高密度PCB设计。其结温工作范围宽达-55°C 至 150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取此型号产品。

凭借其平衡的电气参数和坚固的封装，该器件非常适合应用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、负载开关以及电池管理系统的保护电路。其快速开关能力和低导通电阻特性，使其在空间受限且对效率有要求的便携式设备、消费类电子产品及工业控制模块中成为理想的选择。

• 型号:DMN10H170SVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1167 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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