DMN10H170SVTQ-13

DMN10H170SVTQ-13是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，集成于紧凑的TSOT-26封装内。该器件设计用于在中等电压和电流下提供高效的开关性能，其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的良好平衡，从而在开关电源、电机控制等应用中减少传导与开关损耗。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达100V，确保了在离线式反激转换器初级侧或DC-DC转换器中的可靠工作裕量。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至160毫欧（@5A），这直接转化为更低的通态压降和发热，提升了系统整体效率。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为9.7nC，结合适中的输入电容（Ciss），意味着所需的栅极驱动能量小，有利于实现高速开关并简化驱动电路设计，降低对驱动IC的要求。

在接口与参数方面，该器件标称连续漏极电流（Id）为2.6A，能够满足多数中小功率应用的需求。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，标准逻辑电平即可有效驱动，增强了与微控制器或数字信号处理器的兼容性。安全工作区（SOA）和高达1.2W的功率耗散能力，结合其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C），保证了其在苛刻环境下的稳定性和长寿命。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取原厂正品和技术支持。

基于其性能组合，DMN10H170SVTQ-13非常适合应用于空间受限且要求高效率的场合。典型应用包括AC-DC适配器、PC/服务器辅助电源中的同步整流、低压大电流DC-DC转换器（如Buck、Boost电路）、电池保护电路、电机驱动（如风扇、小型水泵）以及LED照明驱动。其表面贴装的TSOT-26封装不仅节省了宝贵的PCB面积，也适用于自动化贴片生产，满足现代电子产品对高密度组装的需求。

• 型号:DMN10H170SVTQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1167 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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