DMN10H220L-13

DMN10H220L-13是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET工艺制造。该器件采用紧凑的SOT-23封装，在极小的占板面积内实现了优异的电气性能，其核心设计旨在提供高效的功率开关解决方案。其结构优化了沟道电阻与栅极电荷的平衡，确保了在开关应用中既能实现较低的导通损耗，又能维持较快的开关速度，这对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET具备100V的漏源击穿电压（Vdss），提供了良好的电压裕量，增强了其在离线式电源适配器、DC-DC转换器等应用中的可靠性。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压（Vgs）和1.6A漏极电流（Id）条件下，典型值仅为220毫欧，这意味着在导通状态下产生的功率损耗极低。同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为8.3nC，较低的栅极电荷显著降低了驱动电路的负担，有助于实现更高的开关频率并减少开关损耗，特别适合用于需要高频操作的PWM控制器驱动场景。

在接口与参数方面，DMN10H220L-13的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，标准逻辑电平即可有效驱动，兼容性良好。其最大连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下为1.4A，最大允许栅源电压（Vgs）为±16V，提供了安全的操作窗口。器件支持表面贴装（SMT）工艺，封装为标准的SOT-23，便于自动化生产。其结温（Tj）工作范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取正品器件和技术支持。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，这款MOSFET非常适合应用于低压大电流的开关电源次级侧同步整流、电机驱动中的H桥电路、负载开关以及电池保护电路等场景。在AC-DC电源的5V或12V输出端，它能有效替代肖特基二极管，大幅降低整流损耗，提升电源转换效率。此外，在便携式设备、网络通信设备及工业控制模块中，其小型化封装和稳健的性能也使其成为空间受限且对效率有高要求设计的理想选择。

• 型号:DMN10H220L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 1.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:401 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 现在可以订购DMN10H220L-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。