DMN10H220LK3-13

Diodes Incorporated推出的DMN10H220LK3-13是一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。其核心架构基于优化的单元设计，在确保高耐压能力的同时，有效降低了导通电阻和栅极电荷，实现了开关效率与导通损耗之间的出色平衡。该器件采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，具有良好的功率耗散能力和机械可靠性，便于自动化生产并节省PCB空间。

该MOSFET具备100V的漏源击穿电压（Vdss）和7.5A的连续漏极电流（Id）能力，为中等功率应用提供了坚实的电压与电流裕量。其关键优势在于优异的开关性能，在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）典型值仅为220毫欧（@2A），这直接降低了导通状态下的功率损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）低至6.7nC，输入电容（Ciss）也较小，这意味着驱动电路所需能量更低，能够实现更快的开关速度和更高的工作频率，从而提升系统整体效率。

在电气参数方面，DMN10H220LK3-13拥有宽泛的栅极驱动电压范围（最大±20V）和较低的栅极阈值电压（Vgs(th)最大2.5V），与常见的3.3V或5V逻辑电平控制器兼容性良好，简化了驱动电路设计。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。最大功率耗散能力为18.7W（基于壳温），结合D-Pak封装良好的热性能，使其能够应对持续的功率负荷。如需获取详细的技术支持或采购信息，可以咨询官方授权的DIODES代理。

凭借其性能组合，这款MOSFET非常适合应用于需要高效功率切换和控制的领域。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、低压大电流的电源管理模块，以及各类消费电子、工业设备和汽车电子子系统中的负载开关。其高可靠性、高效率和小型化封装特点，使其成为工程师在优化系统能效和功率密度时的理想选择。

• 型号:DMN10H220LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 7.5A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:384 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:18.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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