DMN10H220LQ-13

Diodes Incorporated推出的DMN10H220LQ-13是一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术，其核心设计旨在实现高电压下的高效开关与功率处理能力。其结构优化了载流子迁移路径，有效降低了导通电阻，同时通过精心的热设计与封装工艺，确保了在宽温范围内稳定的电气性能与可靠性。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压高达100V，使其能够从容应对工业控制、电源转换等场景中常见的电压应力。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值仅为220毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压最大值为2.5V，并兼容4.5V至10V的标准逻辑电平驱动，易于与微控制器或逻辑电路接口，简化了驱动电路设计。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为8.3nC，结合401pF的输入电容，意味着极低的开关损耗和更快的开关速度，非常适合高频开关应用。

在接口与参数方面，DMN10H220LQ-13采用标准的SOT-23-3表面贴装封装，占板面积小，便于自动化生产。其连续漏极电流在环境温度下额定值为1.6A，最大允许栅源电压为±16V，提供了安全的操作裕量。器件结温工作范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为1.3W，展现了良好的环境适应性与鲁棒性。对于需要稳定供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取该产品及完整的技术支持。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关的平衡性能，这款MOSFET非常适合应用于多种功率管理场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动电路中的H桥或半桥低侧开关、LED照明驱动的功率控制部分，以及各类需要高效功率切换的便携式设备、消费电子和工业自动化模块。其紧凑的封装尤其适合空间受限的高密度PCB设计。

• 型号:DMN10H220LQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 1.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:401 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 现在可以订购DMN10H220LQ-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。