DMN10H220LVT-13

DMN10H220LVT-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体技术构建，其核心架构旨在实现高电压下的高效开关与功率处理能力。其设计优化了单元密度与沟道迁移率，在紧凑的封装内实现了优异的电气性能平衡，为空间受限的现代电子设备提供了可靠的功率开关解决方案。

该器件在功能上表现出色，其100V的漏源击穿电压（Vdss）确保了在多种中压应用中的稳定工作裕量。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压和1.6A漏极电流条件下，最大值仅为220毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为8.3nC，结合适中的输入电容（Ciss），意味着快速的开关速度和较低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。其栅极阈值电压（Vgs(th)）典型值较低，确保了与标准逻辑电平（如3.3V或5V）控制信号的兼容性，简化了驱动电路设计。

在接口与参数方面，DMN10H220LVT-13提供了稳健的操作窗口。其连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下额定值为1.87A，最大栅源电压（Vgs）为±16V，提供了安全的驱动范围。器件采用标准的TSOT-26表面贴装封装，占板面积小，适合自动化贴装生产。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取该产品，确保原装正品和技术支持。

凭借其综合性能，该MOSFET非常适合一系列中压、中电流的功率管理场景。其主要应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、负载开关、电池保护电路以及LED照明驱动等。在便携式设备、消费电子、工业控制和汽车辅助系统中，其高效、紧凑和可靠的特点使其成为工程师优化功率密度和能效的理想选择。

• 型号:DMN10H220LVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.87A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 1.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:401 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.67W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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