DMN1150UFB-7B

Diodes Incorporated推出的DMN1150UFB-7B是一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的N沟道功率器件。该芯片采用紧凑的3-X1DFN1006封装，专为表面贴装应用设计，其核心架构旨在实现高效率的功率开关与信号控制。其N沟道设计允许在低侧开关配置中实现高效的电流控制，而优化的沟道工艺确保了在紧凑尺寸下仍能提供可靠的性能。

该器件在低至1.8V的驱动电压下即可开始有效导通，并在4.5V栅极电压下达到极低的导通电阻（Rds(On)），典型值仅为150毫欧（在1A，4.5V条件下）。这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。同时，其最大栅极电荷（Qg）低至1.5nC（@4.5V），结合较小的输入电容（Ciss），意味着开关过程中所需的驱动能量极低，有助于简化驱动电路设计并进一步提升开关速度，减少开关损耗。

在电气参数方面，DMN1150UFB-7B的漏源击穿电压（Vdss）为12V，适合低压应用环境。其在环境温度（Ta）下的连续漏极电流（Id）额定值为1.41A，能够满足多种中等电流负载的需求。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±6V，提供了安全的驱动电压裕量。器件具备宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C），并能在高达500mW的功率耗散下稳定工作，确保了在苛刻环境下的可靠性。对于需要稳定供应链的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取此型号产品。

凭借其小尺寸、低导通电阻和快速开关特性，DMN1150UFB-7B非常适用于空间受限且对效率要求高的便携式电子设备。典型应用场景包括智能手机、平板电脑等设备中的负载开关、电源管理单元（PMU）的功率路径控制、DC-DC转换器的同步整流侧，以及各类电池供电设备中的电机驱动或LED背光驱动电路。其优异的性能使其成为设计师在低压、高效率功率处理方案中的理想选择。

• 型号:DMN1150UFB-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.41A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 1A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:106 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
• 现在可以订购DMN1150UFB-7B，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。