DMN12M7UCA10-7

作为一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计制造的高性能MOSFET阵列，DMN12M7UCA10-7集成了两个独立的N沟道增强型MOSFET，采用先进的工艺技术，旨在为空间受限的高密度应用提供卓越的功率开关解决方案。其核心架构基于紧凑的10-SMD无引线封装（X4-DSN3015-），内部集成的双MOSFET单元共享优化的布局，有效降低了寄生电感和电阻，从而提升了整体开关效率和热性能。

该器件在电气特性上表现突出，其漏源击穿电压（BVDSS）覆盖8V至24V的宽范围，确保了在多种低压至中压应用中的可靠性。其导通电阻（RDS(on)）在4.5V栅极驱动电压、6A漏极电流条件下，典型值仅为2.75mΩ，这一极低的导通损耗特性对于提升系统效率、减少发热至关重要。同时，其阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.4V，表明它具备良好的逻辑电平兼容性，能够被微控制器或低电压逻辑电路直接、高效地驱动，简化了外围驱动电路的设计。

在接口与参数方面，DIODES代理提供的技术资料显示，该器件在25°C环境温度下，连续漏极电流（Id）额定值高达20.2A，展现了强大的电流处理能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，结合表面贴装（SMD）的安装方式，使其能够适应严苛的工业环境和高可靠性的自动化生产流程。紧凑的封装尺寸与优异的散热设计，使其在有限PCB空间内实现高功率密度成为可能。

基于上述特性，DMN12M7UCA10-7非常适合应用于对空间和效率有苛刻要求的领域。其主要应用场景包括但不限于：服务器和通信设备的负载点（POL）DC-DC转换器、高性能显卡的VRM（电压调节模块）、笔记本电脑的电源管理、以及各类便携式设备中的电池保护与电源分配电路。其双通道集成的设计，尤其适合用于同步整流拓扑的上管和下管，或者用于驱动双路电机、LED阵列等，为设计工程师提供了高度集成且性能可靠的功率开关选择。

• 型号:DMN12M7UCA10-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X4-DSN3015-10
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20.2A X4-DSN3015-10
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20.2A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.75mOhm @ 6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 1.11mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:10-SMD，无引线
• 供应商器件封装:X4-DSN3015-10
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