DMN15H310SE-13

DMN15H310SE-13是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，其核心设计旨在实现高效率与高可靠性的平衡。该器件采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，内部结构经过优化，以提供出色的热性能和电气性能，其沟道设计有效降低了导通电阻，同时保持了快速的开关特性，这对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET具备150V的漏源击穿电压(Vdss)，提供了充足的电压裕量，增强了其在开关应用中的鲁棒性。其导通电阻在10V栅极驱动电压、1.5A漏极电流条件下典型值仅为310毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。栅极驱动要求适中，其栅极阈值电压Vgs(th)最大为3V，标准逻辑电平即可有效驱动，而最大栅源电压(Vgs)为±20V，提供了较宽的驱动安全范围。此外，其栅极电荷(Qg)最大值仅为8.7nC，输入电容(Ciss)也较低，这共同确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。

在电气参数方面，该器件在环境温度(Ta)下的连续漏极电流(Id)额定值为2A，而在管壳温度(Tc)下可高达7.1A，这突显了其封装具备的优秀散热能力。其最大功耗为1.9W (Ta)，结合SOT-223封装较大的散热焊盘，有助于将热量有效传导至PCB。工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取此型号产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关以及优异的散热封装等特性，DMN15H310SE-13非常适用于需要高效功率转换和控制的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、低功率开关电源(SMPS)、电池保护电路以及各类负载开关。它在空间受限且对效率有要求的设计中表现出色，是工程师实现紧凑、高效功率管理解决方案的可靠选择。

• 型号:DMN15H310SE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 2A/7.1A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Ta），7.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:310 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:405 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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