DMN16M9UCA6-7

DMN16M9UCA6-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进X3-DSN2718-6封装的双N沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的N沟道增强型MOSFET，采用紧凑的6引脚表面贴装封装，专为在有限PCB空间内实现高密度布局而优化。其核心架构基于成熟的平面MOSFET技术，通过精密的晶圆制造工艺实现了优异的电气性能与热性能的平衡，为设计工程师提供了高度集成的开关解决方案。

该器件的一个显著特点是其极低的栅极阈值电压，典型值仅为1.3V @ 1mA，这使得它能够与低电压逻辑电平（如1.8V, 3.3V, 5V）直接兼容，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了BOM成本。同时，其栅极电荷(Qg)最大值控制在35.2nC @ 4.5V，结合适中的输入电容，有助于降低开关损耗，提升高频开关应用的效率。对于需要稳定可靠供应的项目，可以通过授权的DIODES代理商获取原厂正品和技术支持。

在接口与关键参数方面，DMN16M9UCA6-7采用标准的表面贴装工艺，封装热阻经过优化，最大功耗可达2.4W，确保了在持续工作下的散热能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，使其能够适应严苛的工业与汽车环境。虽然具体的连续漏极电流和导通电阻值需参考详细规格书，但其设计旨在提供稳健的开关性能。

凭借其双通道集成、低栅极驱动需求以及宽温工作特性，DMN16M9UCA6-7非常适合应用于空间受限且对效率有要求的场景。典型应用包括便携式设备的负载开关、电源管理单元(PMU)中的功率路径控制、电机驱动模块中的H桥预驱动、以及各类消费电子和工业控制板卡中的信号切换与功率分配电路。其高可靠性设计也使其成为汽车电子中辅助系统控制的潜在选择。

• 型号:DMN16M9UCA6-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X3-DSN2718-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35.2nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2360pF @ 6V
• 功率 - 最大值:2.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-SMD，无引线
• 供应商器件封装:X3-DSN2718-6
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