DMN2004TK-7

DMN2004TK-7 是一款由 Diodes Incorporated 设计制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的平面硅栅工艺技术。该器件在紧凑的 SOT-523 封装内集成了高性能的功率开关功能，其核心架构基于成熟的 MOSFET 技术，通过优化的单元设计和制造工艺，实现了在低栅极驱动电压下的优异导通特性。其栅极氧化层经过特别设计，确保了栅极电荷和输入电容的平衡，从而在开关速度和驱动简易性之间取得了良好折衷。

该 MOSFET 的显著特性在于其极低的导通电阻与出色的栅极驱动兼容性。在仅 4.5V 的栅源电压下，其导通电阻最大值低至 550 毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压最大值仅为 1V，并且支持低至 1.8V 的驱动电压，这使得它能与众多现代微控制器和低压逻辑电路直接兼容，无需复杂的电平转换或驱动电路，极大地简化了系统设计。其最大连续漏极电流为 540mA，漏源击穿电压为 20V，为低压、小功率应用提供了充足的裕量。

在电气参数方面，DMN2004TK-7 展现了全面的可靠性。其栅源电压可承受 ±8V 的应力，增强了抗栅极过冲的能力。在 16V 漏源电压下，输入电容典型值较低，有助于实现快速的开关瞬态。器件的功率耗散能力为 150mW，工作结温范围宽达 -55°C 至 150°C，确保了其在苛刻环境下的稳定运行。其表面贴装型 SOT-523 封装不仅节省了宝贵的 PCB 空间，也适合自动化贴装生产，如需获取原厂正品，可咨询官方授权的DIODES一级代理。

凭借其紧凑的尺寸、低压驱动和良好的开关性能，该器件非常适合空间受限且对效率有要求的便携式电子设备。典型应用场景包括负载开关、电源管理模块中的功率路径控制、电池供电设备中的电路通断，以及作为信号链中的小功率开关。它在需要高效、可靠地控制低压直流电源或信号的各类消费电子、物联网模块和便携式仪器中，都能发挥关键作用。

• 型号:DMN2004TK-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):540mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
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