DMN2005LPK-7

DMN2005LPK-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的3-X1DFN1006封装，专为高密度表面贴装应用而设计，其核心架构基于优化的单元结构，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的良好平衡。其栅极氧化层经过特别处理，确保了在宽温度范围内的稳定阈值电压，同时其内部结构有效降低了寄生电容，为高频开关应用奠定了基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压(Vdss)为20V，适用于常见的低电压逻辑电平转换和电源管理场景。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值为440mA，能够满足中小功率负载的驱动需求。其导通电阻表现优异，在Vgs=4V、Id=10mA的条件下，Rds(on)最大值仅为1.5欧姆，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。栅极驱动要求宽松，阈值电压Vgs(th)最大值仅为1.2V（测试条件Id=100A），并且驱动电压范围在1.5V至4V即可实现从高阻态到低阻态的可靠切换，使其能够与多种微控制器和逻辑电路直接兼容，无需额外的电平转换或驱动放大电路，简化了设计。

在接口与参数方面，该器件支持高达±10V的栅源电压，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。其最大功耗为450mW，结合其微型的DFN封装，要求PCB设计时提供适当的热管理措施以确保性能。其工作结温范围极宽，从-65°C延伸至150°C，使其能够适应严苛的工业与消费电子环境。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的DIODES代理获取完整的技术资料、样品及批量供应支持。

得益于其小尺寸、低导通电阻和易驱动特性，DMN2005LPK-7非常适合空间受限的便携式设备和模块化设计。典型应用场景包括电池供电设备中的负载开关、电源路径管理、DC-DC转换器中的同步整流或负载侧开关、信号路由与多路复用，以及各类需要高效、快速电子开关的电路，如物联网传感器节点、可穿戴设备、手机附件和便携式医疗仪器中的功率控制部分。

• 型号:DMN2005LPK-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):440mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450mW（Ta）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
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