DMN2005UFG-13

DMN2005UFG-13是一款由Diodes Incorporated设计制造的高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术。该器件采用PowerDI3333-8表面贴装封装，专为高密度、高效率的功率转换应用而优化。其核心架构基于成熟的平面MOSFET工艺，通过精细的单元设计和工艺控制，在紧凑的封装内实现了极低的导通电阻与优异的开关特性平衡，为系统设计提供了可靠的功率开关解决方案。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的电气性能。其漏源电压（Vdss）额定值为20V，在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）高达18.1A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(On)）在Vgs为4.5V、Id为13.5A时，最大值仅为4.6毫欧，这一极低的Rds(On)值直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.2V，且驱动电压范围宽（最大RdsOn对应2.5V，最小对应4.5V），使其与低电压逻辑电路（如3.3V或5V微控制器）兼容性良好，简化了驱动电路设计。

在动态性能方面，DMN2005UFG-13同样表现出色。其在Vgs为10V时的栅极总电荷（Qg）最大值为164nC，结合Vds为10V时最大6495pF的输入电容（Ciss），共同决定了其开关速度与驱动功率需求，有助于在高频开关应用中优化开关损耗与电磁干扰（EMI）。器件支持最大±12V的栅源电压，提供了安全的操作裕度。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取原装正品和技术支持。

凭借上述特性，该器件非常适合应用于对空间和效率有严格要求的现代电子设备中。其主要应用场景包括但不限于：笔记本电脑、平板电脑和服务器中的DC-DC同步整流和负载开关、各类便携式设备的电源管理模块、电机驱动控制电路以及低压大电流的功率分配系统。其表面贴装形式和PowerDI3333封装使其能够适应自动化贴片生产，满足高密度PCB布局的需求，是工程师实现紧凑、高效、可靠功率设计的优选元件。

• 型号:DMN2005UFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.6 毫欧 @ 13.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:164 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6495 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.05W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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