DMN2005UFGQ-7

DMN2005UFGQ-7是一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的N沟道功率器件，隶属于Diodes Incorporated的Automotive, AEC-Q101产品系列，专为满足严苛的汽车电子应用要求而设计。该器件采用PowerDI3333-8封装，这是一种紧凑的表面贴装型封装，在提供优异散热性能的同时，显著节省了电路板空间，非常适合高密度电源管理模块的布局。

该芯片的核心优势在于其极低的导通电阻与高电流处理能力。在4.5V的驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至4.6毫欧（在13.5A条件下测量），这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其连续漏极电流在环境温度下可达18A，而在管壳温度下更能承受高达50A的电流，展现出强大的功率处理潜力。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值仅为1.2V，结合最大164nC的栅极电荷（Qg），意味着它能够被快速、高效地驱动，特别适合高频开关应用，有助于减少开关损耗并简化驱动电路设计。

在电气参数方面，DMN2005UFGQ-7的漏源击穿电压（Vdss）为20V，栅源电压（Vgs）最大可承受±12V，确保了在常见12V汽车电源系统中的可靠性与安全性。其输入电容（Ciss）在10V条件下最大值为6495pF，这一参数与低栅极电荷共同决定了器件的动态开关性能。该器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，并通过了AEC-Q101认证，保证了其在汽车引擎舱等极端温度环境下的长期稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取此型号及其技术支持。

基于上述特性，这款MOSFET非常适合应用于对效率、可靠性和空间有严格要求的领域。其主要应用场景包括汽车系统中的负载开关、电机驱动（如风扇、泵控）、DC-DC转换器中的同步整流或功率开关，以及各类便携式设备或服务器中的电源管理单元。其低导通电阻和高电流能力使其成为处理大电流路径的理想选择，而符合车规的标准则使其成为汽车电子设计师在升级系统性能与可靠性时的优先选项。

• 型号:DMN2005UFGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.6 毫欧 @ 13.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:164 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6495 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.05W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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