DMN2011UFDE-13

Diodes Incorporated推出的DMN2011UFDE-13是一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）的出色平衡。这种设计不仅提升了开关效率，也显著降低了传导损耗，使其在紧凑的封装内能够处理高达11.7A的连续漏极电流，同时维持较低的功率耗散。

该器件在1.5V的低栅极驱动电压下即可实现良好的导通特性，其导通电阻在4.5V V_GS和7A I_D条件下典型值仅为9.5毫欧，这确保了在负载开关、电源路径管理和电机控制等应用中能够实现高效的能量转换。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值低至1V，配合最大84nC的栅极总电荷，使其能够被微控制器或低电压逻辑电路轻松驱动，并实现快速的开关切换，有助于减少开关损耗并提升系统整体频率响应。

在电气参数方面，DMN2011UFDE-13具备20V的漏源击穿电压（V_DSS）和±12V的栅源电压（V_GS）耐受范围，提供了稳健的操作窗口。其输入电容（C_iss）在10V条件下最大值为3372pF，这一特性与低栅极电荷共同决定了其动态性能。器件采用表面贴装型的U-DFN2020-6（E类）封装，该封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，非常适合高密度PCB设计。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。

凭借其高效率、低导通电阻和快速开关能力，这款MOSFET非常适合应用于对空间和能效有严格要求的场景。其主要应用领域包括笔记本电脑、平板电脑和便携式设备的DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路以及低压电机驱动。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取该产品的完整技术资料、样品以及采购支持。

• 型号:DMN2011UFDE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3372 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:610mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
• 现在可以订购DMN2011UFDE-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。