DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（6引脚超薄型双扁平无引线）封装，其核心设计旨在实现极低的导通损耗与出色的开关性能平衡。其结构优化了单元密度与电荷平衡，有效降低了导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_g），为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET的关键电气特性使其在低压、大电流应用中表现突出。其漏源击穿电压（V_DSS）为20V，在25°C环境温度下连续漏极电流（I_D）额定值高达15.2A。其最大导通电阻在V_GS=4.5V、I_D=8.5A的条件下仅为9mΩ，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为1.2V，且驱动电压范围宽（最大R_DS(on)对应V_GS=4.5V），与常见的3.3V或5V逻辑电平控制器兼容良好，简化了驱动电路设计。

在动态参数方面，在V_GS=10V条件下，其最大总栅极电荷（Q_g）为42.3nC，输入电容（C_iss）最大值为1439pF。这些相对较低的电荷参数意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，尤其适用于高频开关应用。器件的栅源电压（V_GS）最大耐受值为±12V，提供了可靠的栅极保护裕度。其结温（T_J）工作范围宽广，从-55°C到150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。表面贴装型的U-DFN封装不仅节省了宝贵的PCB空间，其裸露的散热焊盘也优化了热性能，有助于将最大功率耗散（1.8W @ T_A）的热量有效导出。

基于其优异的性能组合，DMN2015UFDF-7非常适合用于对效率和空间都有高要求的现代电子设备中。典型应用场景包括笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的负载开关、DC-DC同步整流和电源管理模块。它也广泛应用于低压电机驱动、电池保护电路以及分布式电源架构的POL（负载点）转换器中。对于需要可靠元器件供应的设计团队，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品的技术支持和供应保障。

• 型号:DMN2015UFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 8.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1439 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.8W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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