DMN2016LHAB-7

Diodes Incorporated推出的DMN2016LHAB-7是一款采用先进工艺制造的双N沟道MOSFET阵列。该器件采用紧凑的6-UDFN封装，内部集成两个独立的N沟道增强型MOSFET，并采用共漏极连接方式。这种架构设计使其在节省电路板空间的同时，能够高效地处理双路开关或同步控制任务，特别适合在空间受限的便携式或高密度电子设备中应用。

该MOSFET的核心优势在于其逻辑电平门驱动特性与极低的导通电阻。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值仅为1.1V，这意味着它能够被3.3V甚至更低的微控制器GPIO端口轻松且高效地驱动，无需额外的电平转换或驱动电路，简化了系统设计。在4.5V的Vgs驱动下，其导通电阻(RDS(on))典型值低至15.5毫欧，这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的整体效率，对于提升电池供电设备的续航能力或减少散热设计压力至关重要。

在电气参数方面，DMN2016LHAB-7具备20V的漏源击穿电压(Vdss)和7.5A的连续漏极电流(Id)能力，为负载开关、电机驱动等应用提供了充足的电压和电流裕量。其栅极电荷(Qg)最大值仅为16nC，结合1550pF的输入电容(Ciss)，确保了快速的开关速度和较低的开关损耗，有利于在高频PWM控制场景下工作。器件额定功耗为1.2W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠运行。如需获取官方技术支持和正品供应，建议通过DIODES授权代理进行采购。

基于其优异的性能组合，该器件非常适合应用于对空间和效率有双重要求的领域。典型应用包括智能手机、平板电脑等便携设备中的电源负载开关、LED背光驱动；在DC-DC转换器中作为同步整流管；以及用于驱动小型有刷直流电机、步进电机或作为信号路径切换开关。其表面贴装形式也完全适应现代自动化贴装生产流程。

• 型号:DMN2016LHAB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2030-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15.5 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1550pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2030-6（B 类）
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