DMN2024UDH-7

DMN2024UDH-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进U-DFN3030-8封装的双N沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个性能一致的独立MOSFET，其核心架构基于优化的沟槽工艺，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。这种集成化设计不仅显著节省了PCB空间，还通过减少寄生电感，提升了高频应用下的整体性能与可靠性。

该芯片的突出特性在于其优异的电气参数组合。其最大导通电阻（RDS(on)）在VGS=4.5V、ID=6.5A的条件下仅为23毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为7.1nC（@4.5V），配合647pF（@10V）的输入电容，确保了极快的开关速度，能有效降低开关损耗，尤其适用于高频PWM控制场景。其阈值电压VGS(th)最大值为1V，具备良好的逻辑电平兼容性，便于由微控制器或低电压驱动电路直接控制。

在接口与参数方面，DMN2024UDH-7的每个MOSFET通道均具备20V的漏源击穿电压（BVDSS）和5.2A（Ta）的连续漏极电流能力，提供了充足的电压和电流裕量。其紧凑的8-PowerUDFN表面贴装封装具有优异的热性能，结合-55°C至150°C的宽结温工作范围，使其能够适应苛刻的环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购是确保产品正宗与供应链可靠的重要途径。

基于上述特点，DMN2024UDH-7非常适合于空间受限且对效率要求高的现代电子设备。其典型应用场景包括负载开关、电源管理模块中的同步整流、DC-DC转换器的高频开关、电机驱动中的H桥电路，以及便携式设备、计算主板和通信模块中的功率分配与切换。其双通道设计为半桥或互补开关配置提供了便利，是工程师实现高效、紧凑功率解决方案的理想选择。

• 型号:DMN2024UDH-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN3030-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 6.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.1nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:647pF @ 10V
• 功率 - 最大值:950mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerUDFN
• 供应商器件封装:U-DFN3030-8
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